Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 14.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    83 left arrow 92
    Wokół strony -11% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.8 left arrow 1,266.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    92 left arrow 83
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,105.4 left arrow 14.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,266.1 left arrow 7.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    339 left arrow 1752
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania