RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2457
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1608DT1TX0. 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link