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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
3,405.2
15.7
写入速度,GB/s
2,622.0
8.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2457
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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