Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Wynik ogólny

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Wynik ogólny

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 18.9

Średnia wartość w badaniach

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 59

Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.4 1,855.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 5300

Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

59 34
Prędkość odczytu, GB/s

4,168.0 18.9
Prędkość zapisu, GB/s

1,855.7 13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 25600

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

680 3184

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

Kingston KV0M5R-MIE 8GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

Kingston 9905711-015.A00G 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB