RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
59
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2155
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link