RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3495
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link