RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3023
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link