RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3023
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link