RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3584
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link