RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2915
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link