RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
92
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3080
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link