RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
186
Wokół strony 82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
3.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
2.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
186
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
3.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
536
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link