RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3663
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link