RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3663
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link