RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3663
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link