RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3650
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link