RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
74
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2159
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-492.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link