RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
74
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2159
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link