RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3234
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link