RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3293
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link