RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3525
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link