RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2373
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link