RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2919
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link