RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2361
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link