RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2426
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link