RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2418
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link