RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2418
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link