RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2574
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link