RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
2545
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link