RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2545
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link