RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3283
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link