RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3283
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link