RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
4060
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link