RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4060
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link