RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3845
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link