RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2298
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link