RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2298
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link