RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCZ OCZ2N800SR1G 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link