RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
49
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
49
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.A1G9O.9K4 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link