RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link