RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link