RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
66
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1820
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link