RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1974
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link