RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3201
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link