RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
33
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3201
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link