RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2591
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link