RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
51
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2286
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link