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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
51
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
51
读取速度,GB/s
17.8
10.9
写入速度,GB/s
12.5
8.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2286
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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