RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2337
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link