Porównanie pamięci RAM Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Wynik ogólny

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 35

Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.8 15.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.5 9.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3285 2488

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns