RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2340
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link