RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1767
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link