RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
48
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
21
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3380
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link