RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
48
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
21
Velocità di lettura, GB/s
8.9
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3380
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link